这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻.

顶部图标 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录. RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
.最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性

低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩额定值
无铅
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

应用范围

网络互联\电信和计算系统中的负载点同步降压
针对控制和同步 FET 应用进行了优化